Chap7 金半接触
基本定义
功函数
\begin{matrix}
E_0-E_{Fm}=w_m\\\\
E_0-E_{Fs}=w_s
\end{matrix}电子亲合能
\chi=E_0-E_c金半接触电势差(能带图)
快速分类
n-type Si
\begin{matrix}
w_m>w_s,产生耗尽,阻挡层\\\\
w_s>w_m,产生反阻挡层
\end{matrix}p-type Si
\begin{matrix}
w_s>w_m,产生耗尽,阻挡层\\\\
w_m>w_s,产生反阻挡层
\end{matrix}能带图
\begin{matrix}
q\Phi_{ns},q\Phi_{ps}为肖特基势垒\\\\
qV_D为半导体到金属的势垒
\end{matrix}势垒计算公式
肖特基势垒
\begin{matrix}
q\Phi{ns}=qV_D+E_n=-qV_s+E_n=W_m-W_s+E_n=W_m-\chi\\\\
q\Phi{ps}=E_g-W_m+\chi
\end{matrix}半导体到金属势垒
qV_D=-qV_s=w_m-W_s金半接触+偏压(整流特性)
首先定义偏压的方向,若Vm-Vs>0,则为正向偏压,0>Vm-Vs,为反向偏压
只讨论形成阻挡层的情况下的偏压变化(整流特性)
可以理解为,半导体载流子从半导体进入金属时的电流方向为正向电流,相应的电压为正向偏压
快速判断
n-type Si
\begin{matrix}
V_m-V_s>0,x_d缩短,正向偏压\\\\
V_m-V_s<0,x_d加大,反向偏压
\end{matrix}p-type Si
\begin{matrix}
V_m-V_s>0,x_d加长,反向偏压\\\\
V_m-V_s<0,x_d缩短,正向偏压
\end{matrix}